三星电子加码GaN功率半导体

9月2日，三星电子宣布在其器兴工厂引入了少量用于大规模生产氮化镓（GaN）功率半导体的设备。这标志着三星在GaN领域迈出了关键一步，为其未来的市场拓展奠定了基础。

氮化镓是一种前沿半导体材料，相比传统硅材料，它具备更卓越的热性能、压力耐受性和功率效率。随着IT、电信和汽车行业对高效能半导体需求的激增，GaN的市场潜力愈加显著。去年，三星在硅谷的“2023年三星代工论坛”上透露，将于2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。

为了实现这一目标，三星于第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思强（Aixtron）生产的有机金属化学气相沉积（MOCVD）设备。这些设备将在8英寸晶圆上沉积GaN材料，制造GaN晶圆，为三星的GaN生产线提供技术支持。

虽然三星电子目前在GaN领域的投资仅限于1~2台设备，且尚未获得大客户订单，但这是其战略布局的一部分。业内专家指出，三星此举旨在控制投资节奏，同时确保在HBM等重点领域的资金投入。尽管如此，东部高科（DB Hitech）和SK keyfoundry等企业也在积极筹备GaN代工业务，计划于明年初和2027年进行量产。

根据TrendForce的最新报告，全球GaN功率元件市场预计将从2023年的2.71亿美元增长至2030年的43.76亿美元，年均增长率达到49%。这一迅猛增长将进一步推动汽车、数据中心和电机驱动等核心领域的发展。