天域半导体碳化硅项目蓄势待发：80亿投资引领行业新篇章

近日，东莞传来振奋人心的消息，广东天域半导体的总部与生产制造中心项目即将步入试产阶段，标志着该公司在碳化硅（SiC）领域的又一重大突破。此项目不仅承载着80亿的巨额投资，更预示着天域半导体在SiC外延晶片市场的深远布局与雄心壮志。

该项目坐落于风景秀丽的松山湖生态园，占地面积广达114.65亩，建筑面积更是达到了24万平方米，集厂房、研发楼、宿舍及全方位配套设施于一体，展现出其宏大的建设规模与前瞻性的规划。尤为值得一提的是，项目专注于生产6英寸与8英寸SiC外延晶片，年产能高达150万片，这不仅是对当前市场需求的精准把握，更是对未来行业趋势的深刻洞察。预计项目投产后，年产值将轻松突破100亿元大关，为东莞乃至全国的半导体产业注入强劲动力。

天域半导体，作为SiC外延晶片领域的佼佼者，其发展历程堪称辉煌。作为国内首家实现6英寸SiC外延晶片量产的企业，天域半导体在技术研发与产品创新方面始终走在行业前列。公司不仅掌握了20kV级以上的厚外延生长技术，还在缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术以及多层连续外延生长技术方面取得了显著成就，这些核心技术的突破为公司的持续发展奠定了坚实基础。

值得一提的是，2023年2月，天域半导体成功完成了约12亿人民币的B轮融资，吸引了包括海富产业基金、粤科鑫泰股权投资基金、南昌工业控股等众多知名投资机构的青睐。这笔资金的注入无疑为天域半导体的产能扩张与研发创新提供了强有力的支持，公司计划利用这笔资金进一步扩大SiC外延产线的规模，并持续加大在SiC大尺寸外延生长技术方面的研发投入，以期在未来的市场竞争中占据更加有利的位置。

目前，天域半导体正全力推进8英寸SiC外延片产线的建设工作，有望成为国内首批实现8英寸SiC外延片量产的企业之一。这一目标的实现，不仅将进一步提升天域半导体在SiC领域的市场地位，也将为中国半导体产业的整体发展贡献重要力量。