Vishay新推1200V SiC二极管，能效与可靠性双重飞跃

Vishay Intertechnology宣布了其创新的第三代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列，共16款新品。这些二极管采用先进的混合PIN肖特基（MPS）结构设计，融合了高浪涌电流保护、低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流等特性，为开关电源设计树立了新标杆。

新品系列覆盖5A至40A的广泛电流范围，提供多种封装选项，包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L/3L及D2PAK 2L，满足多样化的应用需求。MPS结构结合激光退火技术，使电容电荷大幅降低至28nC，正向压降减至1.35V，反向漏电流低至2.5μA，有效减少导通损失，提升系统能效。

这些二极管专为高要求应用场景设计，如光伏逆变器、储能系统、工业驱动器及数据中心等，能在高达+175°C的工作温度下稳定运行，并提供高达260A的浪涌电流保护。D2PAK 2L封装版本还采用高CTI材料，确保电压升高时的卓越绝缘性能。

新品不仅性能卓越，还具备高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，并通过了2000小时高温反偏及2000次热循环测试。