新思科技携手英特尔代工引领新纪元

在科技日新月异的2024年7月9日，新思科技正式推出了专为英特尔代工EMIB先进封装技术设计的可量产多裸晶芯片设计参考流程。这一创新举措，不仅融合了Synopsys.ai™ EDA的全面解决方案与新思科技顶尖IP，更标志着多裸晶芯片设计领域的一次重大飞跃。

该参考流程以其卓越的协同设计与分析能力，为行业树立了新的标杆。通过新思科技3D IC Compiler的强力驱动，它极大地加速了从芯片概念到系统实现的全方位探索与开发，为开发者开辟了一条高效且精准的创新之路。尤为值得一提的是，新思科技3DSO.ai与新思科技3D IC Compiler的原生集成，实现了信号、电源及热完整性的全方位优化，不仅大幅提升了设计生产力，更确保了系统性能的极致优化，为AI与高性能计算领域带来了前所未有的性能突破。

在详细解析这一解决方案时，我们不难发现其全面的优势所在。从早期的架构探索到后期的系统验证，从高效的芯片与封装协同设计到稳健的芯片间连接，新思科技的多裸晶芯片系统解决方案均展现出了卓越的性能与灵活性。特别是新思科技3D IC Compiler与Ansys® RedHawk-SC Electrothermal™技术的结合，更是为2.5D/3D多裸晶芯片设计中的供电与散热问题提供了完美的解决方案。此外，新思科技3DSO.ai的加入更是如虎添翼，通过其自主AI驱动的优化引擎，迅速提升了系统性能和成果质量。

为了进一步降低集成风险并加快产品上市时间，新思科技还在积极面向英特尔代工工艺技术开发专用IP。这些IP与新思科技3D IC Compiler的完美结合，将自动布线、中介层研究及信号完整性分析等功能融为一体，使得设计过程更加高效且可靠。相较于传统的手动流程，这一创新方案不仅减少了30%的工作量，还提升了15%的成果质量（以裕度衡量）。

目前，该参考流程已正式上市，并可通过英特尔代工或新思科技直接获取。对于正在寻求突破的多裸晶芯片设计领域而言，这无疑是一个振奋人心的消息。新思科技与英特尔代工的强强联手，无疑将为整个行业带来更多的惊喜与可能。