产能扩充3倍，SiCrystal建碳化硅工厂

7月4日，SiCrystal公司在其官网发布公告，宣布正在德国纽伦堡东北部建立一个新的生产区。新厂区将占地6000平方米，并配备最先进的技术设施，旨在显著提升碳化硅衬底的生产效率。这一扩建计划不仅是对现有产能的增强，更是为了满足未来市场对高性能半导体材料日益增长的需求。

根据SiCrystal的预期，到2027年，该公司碳化硅衬底的总产能将较2024年增加约三倍，同时，预计将在2027-2028财年末新增超过100个就业岗位。SiCrystal董事长Robert Eckstein表示，新生产区的建立将极大提升公司在SiC衬底市场的竞争力，并为全球半导体行业的技术进步提供有力支持。

值得一提的是，SiCrystal自1997年成立以来，便一直致力于碳化硅衬底的生产。2009年，SiCrystal加入罗姆集团，成为其全资子公司，这为公司在开发和生产方面提供了更广阔的空间和更强大的技术支持。

罗姆集团此次扩产计划不仅展示了其在碳化硅领域的雄心壮志，更显示出其对未来市场需求的敏锐把握。碳化硅作为新一代半导体材料，因其优异的电气性能和高温耐受性，广泛应用于电动汽车、电力电子、通信等领域。SiCrystal通过此次扩产，势必将进一步巩固其在全球SiC市场的领先地位，同时为行业的技术创新和应用拓展注入新的动力。