攻克GaN技术，三安光电获国家科学技术进步奖

在科技创新的浪潮中，三安光电（600703）凭借其在5G通信领域的卓越贡献，于6月24日荣膺2023年度国家科学技术进步奖一等奖。此次获奖的项目“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”由三安光电携手西安电子科技大学、中兴通讯等共同完成，标志着我国在5G基站用GaN器件及工艺方面取得了国际领先地位。

GaN功率放大器作为5G基站的核心元件，其重要性不言而喻。三安光电副总经理林志东在接受采访时表示，他们秉持着解决社会刚需、实现产业化目标的逻辑，对GaN功率放大器进行了前瞻性的布局和研发。该项目成功解决了高品质GaN射频功放芯片在5G通信产业化应用中的技术难题，实现了GaN器件在5G移动基站的规模应用。

该项目的成功得益于产学研的紧密合作。西安电子科技大学在材料和器件基础研究方面发挥了重要作用，而三安集成则负责外延生长和器件工艺开发，并推动GaN射频芯片技术的产业化。

经过多年的工艺技术攻关，三安集成建立了自主可控的芯片制造平台，形成了拥有自主知识产权的GaN功放芯片制造工艺技术解决方案。这不仅大幅提升了GaN芯片的良率和可靠性，还显著降低了成本，实现了从良率30%到80%甚至90%的飞跃，成本也从过去的一百多元每瓦下降到十几元每瓦。

项目的成功实施不仅提升了我国5G基站的通信质量、功耗和成本效益，还实现了月产千万颗通信射频芯片的稳定制造和供货能力。截至目前，出货已超过5万片晶圆，累计销售额超过20亿元，有力支持了我国5G基站用GaN功放芯片的发展，摆脱了对国外依赖的困境。