年产36万片！长飞先进武汉碳化硅晶圆基地封顶

6月18日，长飞先进武汉基地主体结构正式封顶，这是武汉新城诞生的第一个重大项目。该基地专注于第三代半导体功率器件的研发与生产，目标是建立一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造中心。

长飞先进半导体有限公司，总投资超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米。项目建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房等多种设施。未来，这个基地将每年生产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能和充电桩等领域。

作为一家领先的第三代半导体公司，长飞先进半导体拥有先进的产线设备和全流程生产能力，从外延生长到模块封测，具备独立完成各环节的技术能力。去年，公司完成了超38亿元的A轮融资，为其在碳化硅领域的发展奠定了坚实的基础。

根据TrendForce集邦咨询的最新报告，尽管纯电动汽车销量增速有所放缓，但SiC在汽车和可再生能源等高功率密度和高效率市场中的渗透率仍在不断提升。预计到2028年，全球SiC Power Device市场规模将达到91.7亿美元，展现出巨大的发展潜力。

武汉新城的首个半导体项目不仅标志着区域科技产业的进步，也为碳化硅技术的广泛应用铺平了道路。长飞先进半导体的雄心壮志和坚实步伐，让我们对未来充满期待。