基于VGaN技术，英诺赛科革新BMS系统

随着全球绿色能源和低碳环保理念的日益深入人心，移动储能和电动小型动力市场迎来了前所未有的发展机遇。然而，电池的安全性及利用效率问题始终是行业发展的瓶颈。在这一背景下，电池保护技术（BMS）的升级显得尤为迫切。英诺赛科凭借其领先的氮化镓（GaN）技术，为BMS系统带来了革命性的改变。

氮化镓作为一种新型半导体材料，以其高频、高效、高功率密度和耐高温的特性，在快充市场已展现出显著优势。而英诺赛科研发的VGaN系列产品，不仅继承了氮化镓的卓越性能，还实现了受控的双向开通与关断，这一创新技术使得VGaN能够以一敌二，替代传统的两颗NMOS对管。

在最新的48V/180A BMS Demo方案中，英诺赛科巧妙运用了VGaN技术。该方案采用16颗INV100FQ030A VGaN产品，以其小封装、低导通电阻的特性，成功替代了18对Si MOSFET（共计36颗）。这不仅大大减少了占板面积和系统回路阻抗，还显著降低了系统成本。

VGaN BMS系统框图展示了其高边充放同口的设计特点。通过VGaN驱动电路，该系统能够轻松实现正常充放电、充电保护、放电保护、休眠等四种状态，为电池提供了全方位的保护。

VGaN作为英诺赛科自主研发的双向导通氮化镓功率器件，其在BMS系统中的应用优势显著。一颗VGaN即可替换两颗NMOS，导通电阻更低，发热减少，温升更低，同时占板面积更小。这些优势使得英诺赛科的BMS驱动方案在移动储能、电动车等系统中得到了广泛应用。