晶升股份成功研发液相法SiC晶体生长设备

晶升股份在SiC晶体生长技术方面取得新突破，成功研发出液相法SiC晶体生长设备，并已提供给多家客户。此前，晶升股份已在PVT生长工艺上占据主流，此次研发将为其SiC长晶设备产品线增添新选择。

公司表示，这款液相法SiC晶体生长设备在样机阶段已得到客户认可，并正持续优化和改进，以提升晶体品质和良率。晶升股份的SiC长晶设备已批量出货，涵盖PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等，满足不同应用需求。

晶升股份凭借丰富的产品系列和定制化服务，已发展成为国内领先的半导体级晶体生长设备供应商，客户包括三安光电、东尼电子等知名企业。2023年，公司营收和净利润均实现大幅增长，SiC设备细分赛道前景看好。

此次液相法SiC晶体生长设备的成功研发，将助力晶升股份进一步扩大市场份额，巩固其在SiC设备领域的领先地位。