台积电与新思科技携手加速芯片设计创新

新思科技（Synopsys, Inc.）和台积电共同开发的集成射频（RF）设计迁移流程近日取得了新进展，为开发者提供从台积电N16工艺节点至N6RF+工艺节点的顺畅迁移。此外，双方还共同优化了光子集成电路（PIC）流程，以支持硅光子技术在更高功率、性能和晶体管密度方面的应用。

在先进工艺节点设计领域，新思科技与台积电的合作不仅涵盖了EDA（电子设计自动化）和IP（知识产权）领域，更体现在针对台积电N2/N2P工艺的广泛基础和接口IP产品组合上。这些合作成果已广泛应用于人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和移动设计等前沿领域。

新思科技EDA事业部战略与产品管理副总裁Sanjay Bali表示：“新思科技在可投产的EDA流程和支持3Dblox标准的3DIC Compiler光子集成方面取得的先进成果，结合我们广泛的IP产品组合，让我们与台积电能够帮助开发者基于台积电先进工艺加速下一代芯片设计创新。我们与台积电数十年的紧密合作建立了深厚的信任，持续为业界提供了至关重要的EDA和IP解决方案，帮助合作伙伴实现跨工艺节点的快速设计迁移，从而大幅提高结果质量和生产力。”

台积电设计基础设施管理部负责人Dan Kochpatcharin表示：“我们与新思科技等开放创新平台（OIP）生态系统合作伙伴紧密合作，赋能合作伙伴更好地应对从埃米级器件到复杂的多裸晶芯片系统等一系列高性能计算设计领域中极具挑战的芯片设计需求，始终屹立于创新的最前沿。台积电与新思科技将继续携手助力开发者基于台积电的先进工艺节点实现下一代差异化设计，并加快成果转化速度。”

在新思科技针对台积电N3P和N2工艺的可投产数字和模拟设计流程中，AI驱动的模拟设计迁移流程实现了工艺节点间的快速迁移。同时，可互操作工艺设计套件（iPDK）和新思科技IC Validator™物理验证运行集已可供开发者使用，帮助芯片开发团队高效地将设计迁移至台积电的先进工艺技术。此外，双方还在光子集成电路方面取得了显著进展，提升了系统性能和功能。

新思科技针对台积电N2和N2P工艺技术的广泛基础和接口IP组合，为复杂的AI、HPC和移动SoC应用提供了加速流片成功的解决方案。基于这些先进的IP，开发者能够充分利用台积电先进工艺节点上的PPA改进，加快产品上市速度。新思科技针对台积电先进工艺节点的IP已被数十家业内领先公司采用，以推动其开发进度的加速。