长飞先进武汉基地封顶，国内最大SiC功率制造基地

长飞先进武汉基地项目取得新进展，首栋宿舍楼日前封顶，预示着该项目正步入投产倒计时。该项目预计今年6月全面封顶，明年7月正式投产，总投资超过200亿元。

该基地位于武汉新城中心，专注于第三代半导体功率器件的研发与生产，将服务于新能源汽车、光伏储能等多个领域。项目预计年产能包括36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。

项目占地约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，涵盖芯片厂房、封装厂房等核心设施，以及员工宿舍等配套设施。自2023年9月开工以来，建设进度稳步推进，一期工程预计2025年完成。长飞先进武汉基地的建成投产，将有力推动国内半导体产业的发展。