机构：DRAM与NAND Flash合约价将继续上涨

据最新消息，TrendForce集邦咨询宣布，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13%-18%，而NAND Flash合约价季涨幅也同步上调至约15%-20%。这一消息预示着芯片市场将迎来更加活跃的时期。

在此之前，预估显示第二季DRAM合约价季涨幅约为38%，而NAND Flash则为1318%。然而，在403地震发生前夕，市场已经出现了连续走弱的迹象，这主要归因于终端需求不振，尤其是笔记本电脑和智能手机等领域的需求疲软，导致买方库存增加，购买力下降。

随着地震的发生，一些PC OEM供应商开始接受高昂的合约价涨幅，但这只是零星的成交情况。到了4月下旬，相关业者完成了新一轮的合约价议价，导致涨幅超出了最初的预期。这一变化反映了买方对库存价值的支撑意愿，同时也表明了供需两端对人工智能市场展望的考量。

TrendForce集邦咨询指出，原厂开始担心HBM产能排挤效应，特别是三星公司将大量1alpha制程产能用于HBM3e产品，可能影响到DDR5供给量。此外，节能成为AI推理服务器的优先考量，北美云端服务业者扩大采用QLC Enterprise SSD，推动了QLC Enterprise SSD的需求增长，部分供应商库存去化。

综上所述，市场正迎来一轮新的高涨期，而这一变化也将影响到未来芯片产业的格局。