超200亿！2个8吋SiC项目或将明年动工

• Wolfspeed：德国8吋SiC工厂总投资215亿，将延迟至明年建设；

• 韩国釜山：新建2座8吋SiC/GaN工厂，计划明年下半年开工。

Wolfspeed、采埃孚：德国SiC工厂延迟建设

近日，据多家外媒报道，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。

据悉，该工厂由Wolfspee主导建设，位于萨尔州恩斯多夫，预计耗资约27.5亿欧元（约合人民币215亿），目前已获得德国联邦政府3.6亿欧元（约合人民币28亿），萨尔州政府1.55亿欧元（约合人民币12亿）的补贴，但Wolfspeed仍在申请《欧洲芯片法案》的资金援助。

业内人士透露，Wolfspeed 希望在奠基仪式前获得更多资金，如果无法从该法案中获得援助，该项目极有可能会延迟。该工厂原计划于2024 年夏季开始建设，但据Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe透露，如今可能要到 2025 年才会启动建设。

此外，萨尔州政府、采埃孚在接受媒体采访时表示，如果Wolfspeed提交相应申请并获得批准，萨尔州政府愿意支付更多补贴；而采埃孚认为，芯片供应短缺且需求量很大，他们将与Wolfspeed共同推进项目建设，努力解决短缺问题。

官网资料显示，2023年2月，采埃孚宣布与Wolfspeed建立伙伴关系，一方面双方将在德国纽伦堡成立SiC半导体研发中心，另一方面Wolfspeed将在德国萨尔州建设世界上最大、最先进的200毫米SiC晶圆工厂，采埃孚将给Wolfspeed提供数亿美元的财务投资，以换取该工厂的少数股份。

根据“行家说三代半”报道，德国8英寸晶圆厂是Wolfspeed宣布在建/将建的第四座SiC工厂（点击查看），除此之外，Wolfspeed还在美国查塔姆、莫霍克谷等地布局了8英寸衬底厂和晶圆厂。

韩国釜山：计划投建2座8吋工厂

4月6日，据韩媒报道，韩国釜山市正计划投建2座8英寸SiC/GaN功率半导体生产设施，最快将于明年下半年开始。

首先，釜山市政府计划投资400亿韩元（约合人民币2.2亿），在东南地区—放射线医科学产业园区增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获得国家及市级基金资助。

其次，他们将在机张郡成立一座新的功率半导体技术研究所，该研究所将接管位于功率半导体商业化中心（PSCC）的6英寸功率半导体生产设施，并安装运营新的8英寸生产设施，支持入驻企业开展1700V级高压器件技术研发等技术工作，同时开展盈利业务，计划于明年下半年开始建立。

与此同时，位于功率半导体商业化中心（PSCC）的20多家半导体公司还计划投资1.1万亿韩元（约合人民币60亿），以打造下一代功率半导体生态系统。