2021年第三代半导体有望高速成长，GaN功率器件产值年增90.6% | TrendForce集邦咨询

根据TrendForce集邦咨询调查，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。

然受到车用、工业与通讯需求助力，2021年第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成长力道最为明显，预估其今年市场规模将达6,100万美元，年增率高达90.6%。

TrendForce集邦咨询进一步表示，首先，预期疫苗问世后疫情有所趋缓，进而带动工业能源转换所需零组件如逆变器、变频器等，以及通讯基站需求回稳；其次，随着特斯拉（Tesla）Model 3电动车逆变器逐渐改采SiC器件制程后，第三代半导体于车用市场逐渐备受重视；最后，中国政府为提升半导体自主化，今年提出十四五计划投入巨额人民币扩大产能，上述都将成为推升2021年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。

观察各类第三代半导体器件，GaN器件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电（TSMC）、世界先进（VIS）等尝试导入8英寸晶圆生产，然现行主力仍以6英寸为主。

因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升，预期2021年通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6,100万美元，年增30.8%及90.6%。

其中，GaN功率器件年增最高的主因是手机品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进。

TrendForce集邦咨询预期，GaN器件会持续渗透至手机与笔电配件，且年增率将在2022年达到最高峰，后续随着厂商采用逐渐普及，成长动能将略为趋缓。

SiC器件部分，由于通讯及功率领域皆需使用该衬底，因而6英寸晶圆的供应量显得吃紧，预估2021年SiC器件于功率领域营收可达6.8亿美元，年增32%。

目前各大衬底商如科锐（CREE）、贰陆（II-VI）、意法半导体（STMicroelectronics）等已陆续开展8英寸衬底研制计划，但仍有待2022年后才有望逐渐纾缓供给困境。