总投资160亿，长沙三安第三代半导体项目开工

长沙晚报消息，7月20日上午，长沙三安第三代半导体项目正式开工。该项目总投资160亿元，主要将建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。

报道指出，项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

资料显示，三安光电是LED龙头企业，近年重点布局新兴应用领域，聚焦化合物半导体、Mini/Micro LED及汽车照明等高端市场。

今年6月，三安光电发布公告称，拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目，项目投资160亿元，将研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

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