TI推出100V集成GaN功率级产品

随着电源设计技术的不断发展，低电磁干扰（EMI）、高功率密度、低输入/输出电流噪声（IQ）、低噪声、高精度以及隔离性能已成为行业的主流需求。特别是在工业和车载市场，对电源产品功率密度的要求日益严格。

以数据中心为例，随着人工智能技术的快速进步，智算中心对电源的要求也在不断提高。无论是GPU还是CPU电源，其功率等级都在不断增长，同时数据中心的物理空间并未发生显著变化，因此提高功率密度成为满足这一需求的唯一途径。这要求电源设计中的功率器件在尺寸、功率和散热方面都必须达到新的高度。

针对某些典型应用场景，德州仪器（TI）最近推出了全新的100V集成氮化镓（GaN）功率级产品LMG2100R044和LMG3100R017，均采用了QFN封装。其中，LMG2100R044采用了半桥设计，而LMG3100R017则是集成了单管GaN和驱动功能。这两款产品针对常见的拓扑结构进行了优化，包括降压转换器、升压转换器、降压/升压转换器、LLC转换器、PSFB、BLDC电机驱动器和D类音频等，以满足不同应用场合的需求。

目前，LMG2100R044和LMG3100R017这两款100V GaN功率级产品已正式量产，并且TI提供了丰富的参考设计，涵盖了微逆系统、数据中心设计和车载48V转12V等多种应用场景。这些新产品的推出，不仅满足了市场对高功率密度和低EMI电源的需求，也为工业和车载等领域的电源设计带来了全新的解决方案。