中晶芯源：8英寸SiC单晶和衬底项目已备案

山东中晶芯源半导体科技有限公司的8英寸SiC单晶和衬底产业化项目近日正式备案。该项目计划在2025年达到满产产值，中晶芯源成立于2023年5月，是项目的主建方。公司由广州南砂晶圆半导体技术有限公司全资控股，后者成立于2018年8月，专注于SiC单晶材料的研发、生产和销售。

中晶芯源的股东南砂晶圆在8英寸SiC衬底领域一直积极参与。该公司于2022年9月8日与山东大学成功实现了8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶，成为技术突破的先驱之一。

项目备案标志着南砂晶圆在8英寸SiC单晶和衬底项目正式启动，这将有助于公司在SiC衬底领域进一步扩大市场份额。南砂晶圆在过去两年多时间内完成了多轮融资，成为资本市场关注的焦点。公司的SiC项目已经在广州南沙区布局，总投资9亿元，于2023年4月试投产，年产能达到20万片。

中晶芯源的8英寸SiC单晶和衬底项目的启动有望为公司未来在SiC衬底领域的发展提供更多机会，使其在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位。