积塔半导推出110纳米新型铁电存储器

锡舜铭存储科技有限公司携手积塔半导体，成功合作开发国内首款110纳米技术的新型铁电存储器产品，标志着铁电存储领域取得新突破。

这项技术由积塔半导体模拟与数模混合研发处（TD2）MCU研发团队历时一年成功研发。成果包含三项关键突破：首次在110nm技术节点实现量产、存储器可靠性提升10倍、实现了从平面结构到3D结构存储单元的重大跨越。

铁电随机存取存储器（FeRAM）采用铁电质膜作为电容器存储数据，结合ROM和RAM的特点，具有高速读写、高耐久性、低功耗和防窜改的优势，被视为未来存储器发展的重要方向。

积塔半导体表示，这一铁电存储器技术基于铪基氧化物，相较传统技术，具备高速读写、高耐久性、低功耗、抗电磁干扰和抗辐照等特点，广泛适用于车载、电力、工控、可穿戴等领域。在人工智能领域，这一技术有着广泛的应用前景。

这次合作标志着积塔半导体在铁电存储器领域的引领地位，为未来存储技术的发展奠定了坚实基础。这一创新将推动各行业应用，为科技进步和产业升级注入新的动力。