至讯创新启动工程研发实验室，19nm NAND全面量产

2024年1月9日 - 至讯创新科技（无锡）有限公司在今日隆重举行了工程研发实验室乔迁典礼，标志着公司进入崭新的发展阶段。新址座落于无锡软件园的巨蟹座，总面积近千平方米，紧邻公司总部。这一重要的举措将为至讯创新提供更宽敞、先进的平台，推动公司技术创新走向新高峰。

感恩助力，筑梦新征程。在新址乔迁典礼上，无锡高新区、太科办和软件园的主要领导、至讯创新的供应商伙伴齐聚一堂，共同见证了公司迈向新发展阶段的重要时刻。公司董事长汤强博士在致辞中表示，新的实验室将成为至讯创新未来发展的动力源泉，为公司投入新产品研发和技术创新注入更多活力。

典礼上，汤强博士喜讯分享：公司基于19nm先进制程的二维NAND闪存工业级产品已全面量产上市。这款工业级芯片凭借其卓越性能、领先的19nm制程技术和出色可靠性，必将成为存储芯片领域的焦点。多种容量选择、高速读写和数据传输率，以及卓越的可靠性，使其在工业自动化、物联网、网络通信、智能制造等领域展现出色表现。

新的工程研发实验室的启用，标志着至讯创新进入了新的发展纪元，将继续致力于推动前沿技术的研发，为行业发展注入更强劲的动力。这不仅是公司的重要里程碑，更是为未来携手迎接更多创新机遇的开始。