Nexperia联手三菱电机，推出创新SiC MOSFET

近日，安世半导体（Nexperia）旗下的三菱电机宣布发布首款碳化硅（SiC）MOSFET，重磅推出1200V分立器件，分别采用3引脚TO-247封装，RDS(on)分别为40 mΩ和80 mΩ。这两款创新产品专注于电动汽车（EV）充电桩等市场，已经投入大规模生产。

NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合的首批产品，标志着公司在SiC技术领域取得的显著进展。此次发布的两款器件可满足电动汽车充电桩、不间断电源（UPS）以及太阳能和储能系统（ESS）逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的迫切需求。

安世半导体高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示，Nexperia和三菱电机致力于为市场带来真正的创新，满足市场对更多宽禁带器件供应商的需求。这次推出的两款产品在多个参数上都表现出一流的性能，标志着双方合作的高质量SiC MOSFET的成功开端。

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示，他们很高兴与Nexperia合作推出这些新型SiC MOSFET，这也是双方合作推出的首批产品。这一战略合作关系的建立标志着安世半导体在碳化硅技术领域取得了重大进展，为未来SiC器件性能的发展奠定了坚实基础。

11月13日，安世半导体与三菱电机宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发SiC MOSFET分立产品，为碳化硅技术领域带来了新的突破。这一开篇之作NSF040120L3A0和NSF080120L3A0已经开始批量供货，未来还计划发布车规级MOSFET，助力电动汽车产业持续升级。

此外，安世半导体还于11月10日宣布深化与汽车电子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH的合作，共同推出新型650V、20A SiC整流器模块，预计将于2024年第一季度推出样品。这一SiC整流器模块将广泛应用于高频电源领域，涵盖工业电源、电动汽车充电站等市场，为电源应用领域带来全新解决方案。