Nexperia发布首款SiC MOSFET

在科技风潮中，Nexperia于11月30日宣布推出了其首款碳化硅（SiC）MOSFET，并隆重发布了两款1200V的分立器件，采用3引脚TO-247封装，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。

NSF040120L3A0和NSF080120L3A0标志着Nexperia SiC MOSFET产品系列的首次亮相，预示着更多创新产品即将推出。未来，Nexperia将扩大产品阵容，推出具有不同RDS(on)的多款器件，并提供通孔封装和表面贴装封装的灵活选择。这两款即时可用的器件旨在满足电动汽车（EV）充电桩、不间断电源（UPS）、太阳能和储能系统（ESS）逆变器等汽车和工业领域对高性能SiC MOSFET的日益增长的需求。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机联手推出这两款先锋产品，旨在激发更多创新，助力市场涌现更多功率器件供应商。我们的SiC MOSFET器件已超越同类产品，具有极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，可可靠地防止寄生导通。这标志着我们与三菱电机共同致力于生产高质量SiC MOSFET的开端。毫无疑问，未来几年，我们将共同推动SiC器件性能的革新。”新时代的高性能应用正因Nexperia的SiC MOSFET而展翅翱翔。