Transphorm携手Allegro，提高GaN电源系统

近日，Transphorm和Allegro MicroSystems宣布强强联手，共同推出创新的GaN电源系统设计。借助Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔离栅极驱动器，这一合作旨在拓展高功率应用范围。

据了解，Transphorm的SuperGaN FET设计适用于各种拓扑结构，提供多种封装样式，可支持广泛的功率范围，满足不同终端应用的需求。SuperGaN FET已成功应用于高功率系统等多个商业产品，显著提升可靠性、功率密度和效率。

Allegro的AHV85110是一款自供电的单通道隔离式栅极驱动IC，专为多种应用和电路中的GaN FET驱动而优化。相比同类栅极驱动器，AHV85110的效率提高了50%。此外，其噪声和共模电容分别降为市场上其他解决方案的1/10和1/15，极大简化了系统设计。

Transphorm全球销售和FAE副总裁Tushar Dhayagude表示：“Allegro的AHV85110高压栅极驱动器在结构上高度紧凑，功率高效，能够减少30%的占地面积，同时降低外部元件数量，减轻对Transphorm电源设备的偏置电源要求。竞争技术中，SuperGaN以其卓越的动态开关性能成为最可靠的选择，为服务器、数据中心、新能源电动汽车等高功率密度场景提供更高效、更高能的解决方案。”