剑指146亿营收！SiC领域新增1起并购案

昨天，日本一家功率半导体企业被收购！旗下沟槽SiC MOSFET号称“业界最节能”，详情请往下看。

11月2日，MINEBEA MITSUMI Inc.（美蓓亚三美株式会社）官网宣布，他们已与日立集团签署了股份收购协议，将收购日立功率半导体器件株式会社全部股份，并将进一步从日立集团收购有关功率器件业务的海外销售业务。

资料显示，美蓓亚三美成立于1951年，主营业务轴承等机械加工零部件、精密小型微电机等电子机械设备事业等，该公司旗下业务还包括锂离子电池保护集成电路、电源管理集成电路、定时器集成电路、MEMS*2 传感器、磁传感器和车载存储器等。

美蓓亚三美旨在通过此次收购扩大包括 IGBT、SiC在内的功率半导体领域的业务，并且希望利用日立功率器件公司 SiC 工程师小组掌握的高压 SiC 技术发展 SiC 功率器件业务，努力成为功率半导体市场上具有竞争优势的领导者。公司已与日立功率器件签约，成为其前端工厂，SG-IGBT 已在滋贺工厂开始试制。

据“行家说三代半”此前报道，日立功率半导体曾开发了一款号称“业界最节能”的沟槽栅SiC MOSFET——沟槽蚀刻双扩散MOS（TED-MOS），该产品于2021年3月开始供应样品，2022年度开始量产。

公告披露，目前日立功率半导体总资产额 4.5 亿日元（约2.19亿人民币），预计其碳化硅半导体的销售额到2027年度将达到250亿日元（约14.85亿人民币），到2030年度提高至300亿日元（约17.8亿人民币）。

美蓓亚三美表示，此次股份收购和业务收购完成，他们将获得封装和模块制造的后端工艺技术和生产能力，这将使得他们能够部署从开发到生产的功率半导体垂直整合业务，协调公司现有的传统芯片制造能力，最终扩大模拟半导体业务并提高业务价值，通过并购实现该领域的销售额从目前的 800 亿日元（约38.9亿人民币）增长到 2030 年的 3000 亿日元（约146亿人民币）。