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来源:ictimes发布时间:2023-10-261952浏览
询问 AI安森美(onsemi)近日宣布,其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经顺利完成。该工厂在满负荷生产时,每年将能够生产超过一百万片200毫米SiC晶圆。此次扩建将进一步提升SiC产能,以满足市场对SiC器件迅速增长的需求。
SiC器件在电动汽车(EV)、能源基础设施和大功率EV充电桩等领域发挥着关键的功率转换作用。随着市场对这些产品的需求迅速增长,对SiC芯片的需求也大幅增加。预计在不久的将来,SiC芯片将供不应求。
此次富川晶圆厂的扩建将满足市场对增产的迫切需求,使安森美能够持续为客户提供供应保证,并巩固其在智能电源解决方案领域的领导地位。
新的150毫米/200毫米SiC先进生产线以及高科技公用设施建筑和邻近停车场于2022年年中开始建设,并于2023年9月正式竣工。此次扩建的150毫米/200毫米SiC外延(Epi)和晶圆厂,体现了安森美致力于在既有地点建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。
目前,富川SiC生产线主要生产150毫米晶圆,并计划在2025年完成200毫米SiC工艺验证后转为生产200毫米晶圆。
竣工活动上,安森美领导层与由京畿道经济副知事Taeyoung Yeom率领的政要代表团一同出席。代表团成员包括富川市市长YongEek Cho、多名国民议会代表以及富川工商会主席JongHuem Kim。现场还有来自当地社区、客户、供应商和半导体行业的代表。
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