国星光电SiC-MOSFET器件成功通过车规级认证

国星光电，国内少数通过双重考核的SiC功率分立器件厂商之一，近日取得了重大突破。继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获得AEC-Q101车规级认证后，公司开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-场效应管）器件也通过了AEC-Q101车规级认证，并通过了高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。

这一突破性的创新，彰显了国星光电在半导体封装技术领域的领先地位。AEC-Q101是汽车电子元件的重要认证标准之一，而HV-H3TRB可靠性验证更是对功率器件在极端运行环境下的耐受能力和使用寿命提出了更高的要求。获得双重认证，意味着国星光电的SiC功率分立器件在汽车电子领域的应用前景广阔。

此次SiC-MOSFET器件的封装技术采用了自主研发的国星NSiC-KS封装技术，实现了在开关损耗等方面的创新突破，有效减少了器件的发热量，显著提高了器件的可靠性和稳定性。同时，NSiC-KS封装的SiC-MOSFET器件在开关损耗、开通损耗方面也有明显降低，开关频率更快，寄生电感与误开启风险更低。

随着市场对高可靠性功率器件的需求日益增长，国星光电凭借丰富的半导体封装经验、严格的质量把控标准、先进的功率器件生产线以及经验丰富的专业技术人才队伍，可为客户提供高性能、高可靠性、高品质的封装产品及技术解决方案。公司已拥有主流电压规格650V与1200V平台的SiC-MOSFET和SiC-SBD两大产品系列，广泛应用于光伏逆变、工业电源、新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等领域。