芯片制程竞赛提速，SK海力士完成176层NAND闪存开发

半导体世界12月8日消息，韩国存储厂商SK海力士于昨日宣布，已完成176层NAND闪存的开发。目前，SK海力士已开始向客户提供样品，并计划于2021年中期开始批量生产。

SK海力士是全球范围内主要的存储厂商，在NAND Flash市场排第四位。今年三季度，SK海力士在该领域的市占率为11.3%。

产品方面，据TrendForce集邦咨询分析师叶茂盛介绍，SK海力士当前仍致力于推动客户采用成本较佳的96及128层产品方案，其中128层产品的产出预计到年底前可以达到30%。

SK海力士官网显示，最新开发的NAND闪存为4D NAND第三代，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，成本竞争力有所提升。此外，新开发的176层NAND可使数据的最大读取速度提高约70％，使数据写入速度提高约35％。

除了智能手机，新产品还可用于个人电脑和服务器配备的存储器固态硬盘（SSD）等。目前，SK海力士已开始向客户企业提供样品，计划2021年中期开始量产。

“堆叠竞赛”提速

NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。NAND闪存市场竞争激烈，围绕堆叠技术的较量也一直非常紧张。

整体来看，继过去一年堆叠技术突破100层之后，各厂商开始往更高层数上推进。

作为NAND闪存市场的重要玩家，美光率先开发出了176层产品。今年11月，美光宣布成功开发出了176层产品，与128层产品相比，读写延迟降低了25%以上。

全球最大NAND闪存制造商三星电子的第七代V-NAND正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，采用双堆栈技术后，256层堆叠是可能的。”

三星方面还表示，芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。

封面图片来源：SK海力士