三星3nm完整晶圆，良率50%！

三星电子和台积电正在努力提高3nm工艺的良率，但2家公司未看到各自3nm技术的良率提高。尽管台积电已经吸引了长期客户苹果，并且未来的SoC据称将在更新的N3E工艺上进行量产，但三星的3nm GAA节点尚未启动。

GAA(Gate-All-Around)即环绕式栅极工艺，该技术通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能，从而突破FinFET(鳍式场效应晶体管)技术的性能限制。

三星已向中国比特币挖矿客户交付了第一批3nm GAA，但新的报道称，这些芯片的真实形式并不完整，缺乏逻辑芯片中的SRAM。据说完整的3nm GAA晶圆很难生产，三星代工厂的良率只有50％。虽然3nm GAA优于FinFET，但它也存在生产问题。

一位熟悉三星计划的官员表示，按照三星目前50%的良率以及改善速度，除非达到70%的良率，否则将很难获得高通等客户。如果产量仍然很低，即使是三星自己的LSI部门(为各种应用设计芯片和调制解调器)也可能不会接受订单。据悉，像高通这样的公司必须为这批晶圆支付全价，包括有缺陷的晶圆。

此外，三星将在四季度提高NAND芯片价格超过10%。作为世界上最大的NAND闪存制造商，三星占据了约31%的市场份额，其一举一动直接影响着市场行情走向。

研究机构最近的一份报告显示，三星从9月起已扩大NAND闪存的减产幅度至50%，主要集中在128层以下工艺的产品上。预计其他制造商也会跟进这一做法，在今年第四季度进一步减少NAND闪存的产量，目的是要加速去库存，同时稳定NAND闪存的价格，预计会带来0-5%的涨幅。

这也是DRAM芯片和NAND闪存制造商过去常见的做法，人为限制产能输出，从而遏制价格下跌，弥补亏损缺口。美光和SK海力士在更早之前就已经这么做了，只是三星一向奉行“逆周期”的战略，最后迫不得已才选择减产。

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