韩媒：三星、台积电3纳米良率未超过60%

三星、台积电的3纳米制程良率传落在50%~60%。法新社

韩媒消息指出，三星电子（Samsung Electronics）、台积电3纳米制程良率尚未超过60%。加上近日苹果（Apple）iPhone 15系列搭载台积电3纳米芯片爆出过热争议，部分观点将原因指向台积电，引起业界关注。

韩媒Chosun Biz引述业界消息指出，目前三星、台积电的3纳米制程良率约停在50~60%。先前也有业界分析指出，虽然三星3纳米良率超过60%，并供货国内大陆客户，但由于该芯片省略用于逻辑芯片的SRAM制程，很难看作是完整的3纳米制程。

引起外界注意的是，现阶段唯一拥有3纳米量产业绩的台积电，其良率传低于先前外界期待。近日，iPhone 15系列卷入发热争议中，虽然苹果透过iOS 17.0.3软件更新，用以解决iPhone 15 Pro系列过热问题。但也有部分观点将原因指向台积电3纳米制程，认为台积电沿用上一代制程用的鳍式场效应晶体管（FinFET）结构，未能正确控制发热。

另一方面，业界普遍认为，三星主打的3纳米环绕式闸极（GAA）技术，良率尚未达到吸引大客户的水准。虽然GAA结构可将闸极调控通道电位的功能最大化，让包含第四个底部在内的所有通道都被闸极环绕，而闸极360度环绕通道区域可以抑制短通道效应，进一步降低电压、提升效能，突破FinFET效能限制，但制程难度也相当高。

尽管三星比台积电更早投入3纳米GAA量产，但为吸引大型客户，制程须有一定良率水准，才可确保量产体制。根据消息人士说法，据推测，目前三星3纳米制程良率停留在50%左右，三星为在2024年拿下高通（Qualcomm）、三星系统LSI等主要客户的3纳米订单，至少要将良率提高到70%以上。

后续值得观察的是，三星、台积电的3纳米良率水准，预计将影响之后高通、三星系统LSI的3纳米移动芯片订单去向。此外，NVIDIA、超微（AMD）等企业也可能为分散供应链，将部分订单交给三星。

责任编辑：张兴民