新增3起SiC合作，加速进军超充桩、光伏储能

近日，碳化硅领域新增了3起相关合作案，涉及企业包括英飞凌、意法半导体及通富微电等。

●英飞凌＋英飞源技术：合作开拓新能源汽车充电桩市场，应用1200 V CoolSiC™ MOSFET器件。

●通富微电＋意法半导体：合作研发碳化硅模块自动化产线并实现了规模量产。

●韩国KERI＋瑞典RISE：签署科技合作业务协议，目标SiC领域。

英飞凌＋英飞源技术：

SiC技术进军充电桩领域

9月20日，据英飞凌官网宣布，他们已于深圳英飞源科技（Infypower）达成合作，英飞凌将为英飞源科技提供1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件，以提高电动汽车充电站的效率。

据介绍，英飞凌的 1200 V CoolSiC™ MOSFET具有高阈值电压和简化的栅极驱动，通过集成英飞凌的SiC产品，英飞源科技的 30 kW 直流充电模块可提供宽恒定功率范围、高功率密度、最小电磁辐射和干扰、高保护性能和高可靠性。

两家公司在电动汽车充电解决方案领域的合作，将为电动汽车充电站行业提供更为优秀的系统级技术解决方案。SiC的独特性能使其更适用于超级充电站和超紧凑型壁挂式直流充电站，与传统的硅基解决方案相比，SiC 技术在电动汽车充电站中的应用可将效率提高 1%，从而降低能源损耗和运营成本。

英飞源科技成立于2014年3月，是全球领先的电能变换产品及系统解决方案提供商，公司以电力电子及智能控制技术为核心，专注于储能、充电等新能源领域电源设备的研发、生产、销售与服务。

通富微电＋意法半导体：

合作开发SiC模块产线

9月18日，通富微电公布了最新的“投资者关系活动记录表”，当中披露了其在集成电路封装测试业务中的相关进展。

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据公告，2023上半年，通富微电在功率半导体等领域取得重要突破——凭借在功率半导体封测领域的多年实践，上半年通富微电配合意法半导体等行业龙头，完成了碳化硅模块自动化产线的研发并实现了规模量产，在光伏储能、新能源汽车电子等领域的封测市场份额得到了稳步提升。

通富微电成立于1997年10月，是目前国内知名的集成电路封装测试企业之一。2023 年上半年，通富微电实现营收99.08 亿元；归母净利润为-1.88亿元。

韩国KERI＋瑞典RISE：

签署SiC科技合作业务协议

9月18日，据韩媒报道，韩国电气研究院（KERI）宣布已与瑞典国家研究所（RISE）签订了“为激活以国家战略技术为中心的共同研究的业务协议（MOU）”，研究方向包括SiC技术。

据悉，未来两个组织将在电力半导体、二次电池等国家战略科学技术领域开展联合研究、举办讲座和研讨会、人员和信息交流等合作。RISE已在碳化硅领域进行了领先的研究，并与全球企业一起积累了商业化成果。

据“行家说三代半”本月初的报道，KERI还曾与匈牙利设备企业SEMILAB签订了“SiC功率半导体离子注入及其评估技术”技术转让协议。该技术可以通过增加SiC器件中的电流，来取代昂贵的外延片，从而大大降低工艺成本，这项技术有望提高碳化硅功率半导体的价格竞争力，并极大地促进大规模生产。

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