在太空造GaN？一次可产500片！

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众所周知，目前氮化镓单晶生长缺陷太高，尺寸太小，难以满足大功率器件设计需求，为了推动氮化镓单晶技术的研发，有企业提出要去外太空长晶，而且马上将出发。

据台媒9月14日报道，一家英国企业正在寻求通过埃隆马斯克的SpaceX星链卫星在太空中进行氮化镓晶体生长。卫星将在今年年底前发射，据说太空中生产的一批GaN单晶产能可达500片。

这家太空芯片制造新创公司CEO惠腾表示，在太空生产的氮化镓会更好，比如通常5G基地中，氮化镓的转化效率约为8%，如果透过太空制造，我们认为氮化镓可以将效率提高到25%以上。

该公司进一步解释道，这是因为太空中的微重力和自然高度真空的结合，创造了更好的制造环境，可以创造更大的单晶结构，这使热能更容易散发，电子更容易穿越，从而使得SiC/GaN效能提升十倍甚至百倍。

太空芯片制造新创公司于2018年在英国成立，致力于在太空制造以氮化镓为代表的第三代半导体。

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据悉，利用卫星在太空制造半导体的周期约为两周到六个月，内部的自动化系统会制造出高性能的氮化镓单晶，之后返回地球。该公司估计，一趟飞行产制的结晶材料可以制作500片衬底片。

惠腾表示，一旦在太空中成功制造出高良率的氮化镓晶体，我们就可以在地球上有效的复制生长，因此不需要无数次去太空，未来我们将与合作伙伴和客户可以一起合作开发。

该公司表示，这种氮化镓单晶的制造方式还能应用在太阳能板或锂电池的材料上。

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