「拥料为王」，国产SiC重量级突破

SiC是一种硬度与金刚石相近的半导体材料，由于其卓越的物理化学性能，如高耐压、高频率、高效率等，使得SiC在半导体制造领域具有巨大的应用潜力。然而，由于SiC的制备难度大，生产成本高，其广泛应用一直受到限制。

近期，国内厂在主流6寸SiC长晶取得重大突破，包括功率元件龙头英飞凌（Infineon）与山东天岳、天科合达签约，并提前通过车规认证，以及SiC元件龙头意法半导体（STM）与三安携手建厂等。

近日，中国电子科技集团第二研究所（以下简称中电科二所）在SiC激光剥离设备研究方面取得了突破性进展。这一创新性的技术有望使SiC半导体器件的生产成本大幅降低，从而有望推动包括新能源汽车、光伏、智能电网等领域的科技进步。

据该项目的负责人介绍，SiC衬底是SiC器件成本的主要来源，占整个器件成本的45%左右。因此，通过这种方式，可以显著降低SiC器件的生产成本。同时，由于SiC单晶的生长难度大，这种激光剥离技术还有望使单晶的利用率得到显著提高。

目前欧、美、日SiC芯片厂供应仍占大宗。不过，欧、亚买家都出现采购策略大转弯走势，一是欧系IDM厂在料源取得渐朝「左拥欧美、右抱国内」方向迈去；其次，是亚洲客户依赖与欧美料源厂比重，呈现有感下降，主要是国内厂支持力愈来愈强。

国内SiC芯片厂进展明显，而国内厂与欧美料源厂间的距离，当下该如何形容？

目前看来，国内长晶厂具代表性仍以山东天岳、天科合达、烁科、同光。磊晶包括瀚天天成等，三安则是都概括；2023年初，亦有国内一线车厂欲大步扩张上游SiC长晶，但实际扩产未如预期；台系厂长晶则包括环球晶、泛富士康的盛新、汉磊、稳晟等。

中电科突破性的研究成果无疑将为中国半导体产业的发展注入新的活力。未来，随着SiC半导体器件成本的降低和性能的提升，其在新能源汽车、光伏、智能电网等领域的应用将进一步扩大，从而有力地推动这些领域的科技进步。同时，这也标志着中国在半导体制造领域的研究已经进入了一个新的阶段。

在全球半导体市场上，SiC材料的短缺一直是制约相关产业发展的关键因素。而中电科二所的这一研究突破，不仅为中国的半导体产业提供了强大的技术支持，也打破了国际上对于SiC材料制备技术的垄断。这将为中国的半导体产业带来极大的竞争优势。