三星14/10/11/8/7/6/5/4/3nm工艺解读

SDS511

开关二极管

•超高速切换应用

•低正向电压：VF = 0.9V（典型值）

•快速反向恢复时间：trr =1.6㎱（典型值）

•总电容小：CT =2.2㎊（典型值）

在美国SFF晶圆代工论坛上，三星发布了新一代的逻辑工艺路线图，2021年就要量产3nm工艺了，而且首发使用新一代GAA晶体管工艺，领先对手台积电1年时间，领先Intel公司至少2-3年时间。

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除了3nm工艺，实际上三星还准备了其他各种各样的工艺，从14、10nm节点往下覆盖到每一个数字上了，未来还要进军3nm以下的2nm甚至1nm工艺，要挑战半导体的物理学极限。

这也带来了另外一个问题，那就是大家对三星的制程工艺感觉很混乱，比如高通的骁龙处理器，用三星代工的就有10nm工艺，还有11nm工艺的，也有8nm工艺的，未来可能还有6nm、5nm工艺的，这些工艺都有什么区别？

Cacdence公司官方博客专栏作家保罗麦克莱伦日前撰文分析了三星的制程工艺，用一张简洁而且清晰的图标汇总了三星目前的制程工艺，如下所示：

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三星目前的工艺实际上分为四大节点，分别是14nm、10nm、7nm及3nm，每代节点还会有多个衍生版，其中14nm节点有14nm LPE、14nm LPP、14nm LPC、14nm LPU及11nm LPP版本，10nm节点有10nm LPE、10nm LPP、8nm LPP、8nm LPU及尚在开发中的版本。SDS511

7nm节点中，三星这一次放弃LPE低功耗，直接进入了7nm LPP（还有EUV光刻工艺辅助）、6nm LPP、5nm LPE、4nm LPE等衍生版。

真正发生重大变革的是3nm节点，因为3nm开始会放弃FinFET转向GAA晶体管，第一代是3GAE工艺，还有优化版3GAP工艺，后续还在继续优化改良中。

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三星各个工艺的时间点也不同，7nm EUV工艺今年4月份开始量产，下半年开始推6nm工艺，5nm工艺今年4月份完成开发，下半年首次流片，2020年量产。

4nm工艺今年下半年完成开发，而3nm GAE工艺已经发布了1.0版PDK，预期是2021年量产。

（素材来源：news.mydrivers.如涉版权请联系删除。特别感谢）