三星第三代10nm级(1z)工艺新16Gb LPDDR5

三星宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛，克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示。

三星平泽2号线占地超过128900平方米，相当于约16个足球场，是迄今为止全球规模最大的半导体生产线。新的平泽生产线将成为业界最先进的半导体技术的主要制造中心，提供最DRAM以及下一代V-NAND和代工解决方案。基于当今最先进的(1z)工艺节点，三星新的16Gb LPDDR5是首款采用EUV技术量产的内存，是移动DRAM产品序列中速度最高、容量最大的产品。

新的LPDDR5的速度为每秒6400Mb/s，比目前大多数旗舰移动设备中的12Gb LPDDR5（5500Mb/s）快约16%。当做成16GB封装时，LPDDR5可以在一秒钟内传输约10部5GB大小的全高清电影，或51.2GB的数据。

由于首次商用了1z工艺，LPDDR5封装比上一代产品薄了30%，使得5G和多摄像头智能手机以及可折叠设备能够将更多的功能装进纤薄的设计中。16Gb LPDDR5只需8颗芯片就能构建16GB封装，而基于1y的前代产品则需要12颗芯片（8颗12Gb芯片和4颗8Gb芯片）才能提供同样的容量。

通过向全球智能手机制造商交付首款基于1z的16GB LPDDR5封装，三星计划在整个2021年进一步加强其在旗舰移动设备市场的地位。三星还将把LPDDR5产品的使用范围扩展到汽车应用中，并提供扩展的工作温度范围，以满足极端环境下严格的安全和可靠性标准。

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