英特尔马来西亚兴建封装厂，力拼2025年3D封装产能扩增4倍

英特尔正在积极投入先进制程研发，并同步强化先进封装业务，目前正在马来西亚槟城兴建3D IC封测厂，将是继英特尔在新墨西哥州及奥勒冈厂，首座海外采用英特尔Foveros先进封装架构的3D IC封装厂。

新厂预定2024年底或2025年初正式启用。英特尔预估2025年3D IC封测产能将比今年扩增四倍。

英特尔的Foveros封装技术采用3D堆叠来实现逻辑对逻辑的整合，为设计人员提供了极大的灵活性，进而在新设备外形要素中混搭使用技术IP块与各种存储和输入/输出元素；产品可分成更小的小芯片(chiplet)或块(tile)，其中I/O、SRAM和电源传输电路在基础芯片中制造，高性能逻辑小芯片或块堆叠在顶部。

除此之外，英特尔的全新封装功能正在解锁新的设计，通过将EMIB和Foveros技术相结合，允许不同的小芯片和块互连，性能基本上相当于单个芯片；凭借Foveros Omni，英特尔称设计人员利用封装中的小芯片或块可获得更大的通信灵活性。