消息称三星计划在300多层NAND上继续采用双堆叠技术，以求成本竞争优势

据媒体报道，三星电子为保持其在NAND flash上的成本竞争优势，计划在300层以上堆叠的3D NAND中继续采用双次堆叠（double-stack）技术。

消息称，三星预计2024年量产堆叠300层以上、第九代3D NAND。所谓的双次堆叠技术是分两次制造NAND，然后将其组合在一起。三星从第七代176层3D NAND开始采用双次堆叠技术。一般来说，双次堆叠虽可降低产品生产难度，但最大问题是让生产成本增加。

此前，SK海力士宣布计划2025年量产堆叠321层3D NAND，有传言称SK海力士采用三次堆叠（triple-stack），即分别制造堆叠120层、110层及91层的3D NAND，再组合成单颗晶片。然而，三次与双次堆叠在成本及效率方面仍有很大差异，采用双次堆叠显然在制造与原料成本方面较具优势。

传三星内部已制定技术路蓝图，第十代3D NAND将采用三次堆叠。据悉三星正与东京威力科创（TEL）等半导体设备伙伴密切合作，期望提升成本竞争力。