三星购买爱思强MOCVD设备用于氮化镓、碳化硅生产

据电子时报报道，三星电子及其国内晶圆代工厂同行DB Hitek（东部高科）和Key Foundry（启方半导体）将从德国Aixtron（爱思强）采购金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，以进军GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）芯片制造服务市场。

ZDNet Korea日前援引业内人士消息称，爱思强CEO Felix Grawert于今年7月中旬低调访问韩国，并与三大代工厂举行会议，讨论设备供应协议相关事宜。三者均计划进军GaN和SiC代工市场。其中，消息人士透露，三星已决定购买Aixtron最新的MOCVD设备，用于加工GaN和SiC晶圆，投资规模预计至少达到7000亿-8000亿韩元（5.4亿-6.2亿美元）。

MOCVD设备是生产GaN芯片的核心设备之一。目前，只有少数公司在技术上有能力生产此类设备，其中爱思强是最大的供应商，占据全球市场75%的份额，其次是美国Veeco（维易科），份额为10%-15%。与传统的硅半导体相比，GaN具有更高的耐高温和耐电压能力以及更高的能源效率。预计未来IT、通信和汽车应用领域的GaN需求将快速增长。

业内人士表示，三星、DB Hitek和Key Foundry预计在2025年至2026年将8英寸GaN代工服务商业化。他们现在正处于研究和样品生产阶段，只需要少量设备。然而，他们必须根据未来的量产计划进行大量的设备投资。业内人士指出，2023年初，三星投资约1000亿-2000亿韩元购买8英寸GaN和SiC制造设备，但仅GaN生产的总投资预计将达到1万亿韩元的规模。

目前，GaN和SiC代工厂严重依赖爱思强设备的支持。尽管MOCVD机台单价高达200亿韩元，但韩国半导体代工厂仍在积极进行该领域的投资。