三星、台积电、英特尔积极布局背面供电BSPDN技术

据悉，三星计划将晶圆背面供电（BSPDN）技术用于2nm芯片，该公司也于近期日本VLSI研讨会上公布BSPDN 研究结果。另外，台积电、英特尔等晶圆大厂也积极布局该技术，并宣布将导入逻辑芯片的开发蓝图。

根据比利时微电子研究中心（IMEC）的说法，BSPDN 目标是减缓逻辑芯片正面在后段制程面临的拥塞问题，通过设计技术协同优化（DTCO），在标准单元实现更有效率的导线设计，协助缩小逻辑标准单元的尺寸。

换言之，BSPDN可解释成小芯片设计演变，原本将逻辑电路和存储器模块整合的现有方案，改成正面具备逻辑运算功能，背面供电或讯号传递。

一般而言，通过晶圆正面供电的方法虽能完成任务，却会使功率密度下降、性能受损，不过新的BSPDN方法还没被代工厂采用。

三星称跟传统方法相比，BSPDN可将面积减少14.8%，芯片能拥有更多空间，公司可增加更多晶体管，提高整体性能；线长也减少 9.2%，有助降低电阻、使更多电流通过，从而降低功耗，改善功率传输状况。