九峰山实验室6英寸SiC中试线全面通线

近日，九峰山实验室6英寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺，制定并实施了低阻n型和p型欧姆接触的合金化技术方案，系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。

据悉，湖北九峰山实验室于2021年成立，实验室聚焦化合物半导体，主要涉及以下工艺领域：SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相关MEMS、特种先进封装和多材料集成。（文：化合物半导体市场 Amber整理）

▶关于我们

集邦咨询(TrendForce)是一家横跨存储、集成电路与半导体、光电显示、LED、新能源、智能终端、5G与通讯网络、汽车电子和人工智能等领域的全球高科技产业研究机构。公司在行业研究、政府产业发展规划、项目评估与可行性分析、企业咨询与战略规划、品牌营销等方面积累了多年的丰富经验，是政企客户在高科技领域进行产业分析、规划评估、顾问咨询、品牌宣传的优质合作伙伴。

上下滑动查看