天科合达碳化硅晶片二期扩产项目开工，项目总投资8.3亿元

8月8日上午，江苏天科合达半导体有限公司（简称“江苏天科合达”）碳化硅晶片二期扩产项目在徐州经开区开工。项目总投资8.3亿元，达产后，可实现年产碳化硅衬底16万片。

北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业，国家工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业，其导电型晶片全球市场占有率排名第二、国内占有率排名第一。

2018年，北京天科合达打破国外垄断的碳化硅晶片项目落户经开区，并成立了全资子公司江苏天科合达，为徐州打开了第三代半导体产业发展的新局面。

为进一步完善产能布局，抢占市场先机，北京天科合达决定在徐州经开区开展江苏天科合达二期扩产项目建设，总投资8.3亿元，占地70亩，建筑面积约5万平方米，购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），可实现年产碳化硅衬底16万片。

江苏天科合达二期扩产项目投产后，北京天科合达徐州基地碳化硅晶片年产能将达到23万片、年产值10亿元以上，将进一步壮大徐州碳化硅产业规模、助推徐州成为淮海经济区乃至全国的第三代半导体产业高地。

天科合达消息显示，二期项目将新增16万片产能，并计划明年6月份建设完成，同年8月份竣工投产，届时江苏天科合达总产能将达到23万片。