台湾版本“芯片法”，今天起实施

来源:半导体行业观察发布时间:2023-08-07922浏览

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）综合自经济日报等，谢谢。

今年年初，中台湾方面通过《产业创新条例》第10条之2修正案，亦即俗称「台版芯片法」。产创条例10之2子法预计将于明(7)日正式公告实施，明订研发费用达60亿元、研发密度（研发费用占营收净额之比率）达6%，购置用于先进制程之设备支出达100亿元为申请门槛，亦即符合上述条件才有资格申请投抵。

“经济部”表示，如未符合前述适用条件的公司，仍可申请产创条例第10条研发投资抵减及第10条之1智能机械投资抵减。

台湾方面在今年5月1日预告「公司前瞻创新研究发展及先进制程设备支出适用投资抵减办法」（外界称为产创条例第10条之2子法）草案，明定支出适用范围、申请程序与期限、审查机制及相关事项。该子法并于5月底预告期满之后，“经济部”7月中已函送“财政部”，进行确认细部文字工作。“经济部”上周已收到“财政部”回函，预计今日于行政公报发布实施。

“经济部”与“财政部”协商后，产创条例10之2子法明订企业申请门槛为研发费用达60亿元、研发密度达6%、购置用于先进制程的设备支出达100亿元，且2023年有效税率为12%，才能适用第10条之2的租税减免。

有「台版芯片法」之称、产创条例第12条之2，将为半导体、电动车、5G等技术创新且居国际供应链关键地位公司，提供租税优惠。其投资于前瞻创新研究发展之支出25%，得抵减当年度应纳营利事业所得税额；购置先进制程之全新机器或设备，支出金额5%得抵减当年度应纳营利事业所得税额，且该机器或设备支出不设金额上限。

“经济部”表示，子法明订适用条件，系考量产创条例第10条之2之立法意旨、业界实况，并为使公司持续保有在全球产业链中的关键地位，保持台湾重要产业在全世界的竞争优势，进而鼓励产业加大力道投入较同业更高额设备以及研发支出。“经济部”呼吁，已接近适用门槛的业者，更能扩大研发，以适用租税优惠。

“经济部”表示，由于产创条例中已订定适用第10条之2租税优惠的有效税率为12%，以及未来15%的基础，因此也可促使未达到此税率基础的业者努力达成，稳定税收。

台版芯片法总说明

近年来由于国际贸易争端频繁与地缘政治风险升高，造成主要国家和地区开始考虑产业链重组问题。为达成相对应之政策目标，各个国家和地区政府均开始针对各类前瞻技术与尖端科技产业设计优惠政策。以半导体产业为例，不论是美国的《芯片与科学法案(CHIPS and Science Act) 》或欧盟的《欧洲芯片法案(European Chips Act) 》，均希望透过各种类型的补贴（包含设立基金、提供低利贷款或租税抵免等）吸引具有竞争力之产业参与者于美国或欧盟进行投资，以于美国及欧盟地区建立完善且具有竞争优势之半导体产业聚落。

作为全球半导体重镇，中国台湾于2023年1月7日三读通过《产业创新条例》第10条之2修正案（下称「产创条例修正案」），以提供租税抵减之方式，提供符合资格之产业参与者来台投资之诱因。依同条例第72条，产创条例修正案施行期间，自2023年1月1日起至2029年12月31日止。

上述产创条例修正案设计之租税优惠类型有二：(1) 「前瞻创新研究发展支出」之定率（25% ）投资抵减，及(2)购置用于「先进制程」之机器设备支出之定率（5% ）投资抵减。本文先将欲申请适用此二类租税优惠之法定要件以表格方式整理如下，再分别说明法定要件内容。

一、法定要件中之积极要件

(一) 须为「公司」：与产业创新条例第10条与第10条之1之规定不同，目前本次产创条例修正案之投资扣抵仅限「公司组织」申请，有限合伙事业等非公司组织并不具备申请资格。

(二) 须于「中国台湾境内」进行技术创新：「中国台湾境内」之定义须待主管机关于授权子法中明订。

倘若一总部位于中国台湾之跨国/地区企业欲申请本次产创条例修正案之投资抵减优惠，然而其技术创新行为系由该企业位于美国与台湾之研发中心共同进行，则该技术创新行为是否完全不适用本次产创条例修正案之投资抵减优惠？或是得依合理比率（例：个别研发中心之贡献率）分摊于中国台湾境内与境外之投资支出，并依分摊后金额计算是否符合投资抵减优惠之资格？

(三) 须具有「国际供应链关键地位」：「国际供应链」与「关键地位」之定义须待主管机关于授权子法中明订。

1. 「国际」供应链：所谓国际供应链，是否仅需该产业供应链中之任一环节有他国籍之参与者即符合？另，产业参与者之国籍认定系依该参与者之设立地认定或依该参与者之最终母公司设立地认定？

2. 「关键地位」：本所认为，倘以「维持／创造产业竞争优势」切入思考，或可借用竞争法之概念，以「不可替代性（质性特征）」与「市占率多寡（量化特征）」作为衡量特定公司是否具有供应链关键地位之参考标准。然而实务上应如何针对不同产业特性具体化相关判准，仍有赖主管机关以授权子法明订。

例：半导体产业依其产业特性即可大分为积体电路设计、晶圆制造以及半导体封装测试三大部分，且此分类之界线于先进积体电路市场亦愈发不明确（例：晶圆级封装技术使晶圆制造业者得以跨入封装测试市场；系统单芯片概念使封装测试与积体电路设计产生竞合关系）。此种产业特性，将导致实务上难以操作上揭参考标准决定特定公司是否居于关键地位（例：应如何决定市场范围）。

(四) 于同一课税年度内之「研究发展费用」与「研究发展费用占营业收入净额之比率」须达到一定规模：具体规模仍待主管机关于授权子法中明订。惟依修正理由之说明，可知「研究发展费用」与「营业收入净额」均为公司个体综合损益表之金额。

1. 本款要求之「研究发展费用」数额，依法条文义并未限制仅能计入「属前瞻创新」之研究发展费用，本所认为似得将公司该课税年度所有帐载「研究发展费用」均纳入计算。

2. 修正后产创条例第10条之2第一项所称「前瞻创新研究发展支出金额」，本所认为依文义可能包含:

(1)符合相关会计准则而予以资本化之发展支出(Development expenditure) ，及；

(2)费用化之研究发展费用。

惟目前尚无法确定仅费用化之部分得以作为计算投资抵减之基础，或资本化与费用化之金额得并计为计算投资抵减之基础。

(五) 投资之项目需符合定义：公司欲申请本次产创条例修正案投资抵减之研究发展支出，限于投资于「前瞻创新」之研究发展支出。而「前瞻创新」之定义须待主管机关于授权子法中明订。另，公司欲申请本次产创条例修正案投资抵减之资本支出，限于「购置供自行使用」于「先进制程」之机器设备，且购置金额须达「一定规模」。而「先进制程」与「一定规模」之定义亦须待主管机关于授权子法中明订。

(六)于申请抵减课税年度之「有效税率」须达法定下限：2023年为12% 、2024年后为15% （惟2024年得经中央主管机关会同财政部审酌后调整为12 % ）

本款之有效税率=100% X （应纳税额-境外所得已缴纳之可扣抵税额-大陆地区来源所得已缴纳之可扣抵税额-适用之投资抵减税额总额）／全年所得额

二、法定要件中之消极要件

(一)禁止申请同类投资抵减优惠：为避免本次产创条例给予过度之租税优惠，故规定公司一旦申请适用本条之投资抵减优惠，即禁止申请其他同类投资抵减优惠。

以「前瞻创新研究发展支出」之投资抵减为例，倘公司有「属」前瞻创新之研究发展支出与「非属」前瞻创新之研究发展支出，一旦公司就「属前瞻创新之研究发展支出」申请适用定率投资抵减优惠，即不得就「非属」前瞻创新之研究发展支出申请适用其他同属「研究发展支出」类型之租税优惠。

例：假设A公司X1课税年度之总研究发展支出为新台币（下同）100亿元，其中属于前瞻创新之研究发展支出为15亿元，符合产创条例第10条之研究发展支出共计80亿元，符合产创条例第10条之1之研究发展支出为5亿元。一旦A公司申请适用修正后产创条例第10条之2（「前瞻创新之研究发展支出定率投资抵减」），则A公司其余85亿元之研究发展支出，即不得依产创条例第10条或第10条之1申请适用对应之投资抵减优惠。

(二) 抵减总额不得超过法定上限

1. 「前瞻创新研究发展支出」之定率投资抵减，不得超过公司特定课税年度应纳营利事业所得税额之30%

例：假设B公司符合产创条例第10条之2之适用要件，本年度扣除研究发展费用前之所得净额为100元，「前瞻创新研究发展支出（假设无资本化数额）」为x元，营所税率为20%，有效税率限制为12%，则以代数公式表达此项限制如下：

x*25%≤[(100-x)*20%-x*25%]*30%

2. 购置用于「先进制程」之机器设备支出之定率投资抵减，不得超过公司特定课税年度应纳营利事业所得税额之30%

3. 公司依各该法规申请适用之投资抵减总额，不得超过其于特定课税年度应纳营利事业所得税额之50% ：依修正理由可知，公司于申请本次产创条例修正案之投资抵减优惠之课税年度，如有以往年度申请适用之投资抵减剩余，仍可于该课税年度合并使用。

(三)三年内无违反环境保护、劳工或食品安全卫生相关法律且情节重大情事：为免使有重大违反环保、劳工或食安法令之公司得以享受巨额之租税优惠，故参考同法所设计之其他租税优惠措施纳入此消极要件。

除上述适用税捐优惠的要件外，另需注意产创条例修正案关键法条定义之变更频率，与节能减碳之要求。考量科技进步快速、重点产业更迭不断，台湾方面于产创条例修正案三读时，一并通过附带决议，要求“经济部”应每年邀集学者专家及业者就「居国际供应链关键地位」、「前瞻创新研发」、「先进制程设备」等名词定义及关键产业进行检讨，以利相关租税优惠能够符合产业实际需求。且为符合国际节能减碳、气候与永续与绿色转型之浪潮，台湾方面亦于附带决议中要求“经济部”制定相关政策，评估积极协助申请产业创新条例第10条之2租税优惠时，同时提出节能减碳具体措施，例如降低及优化制程设备能源使用、强化制程气体回收及优化制程参数降低温室气体排放，以及每年度碳盘查各范畴之资讯公开。

本次产业创新条例修正案，亦即第10条之2条文三读通过，对处于前瞻技术与尖端科技产业中之产业参与者而言不啻为一利多消息。欲申请本次产创条例修正案租税优惠之公司，应尽早盘点公司之研究发展支出与先进制程之性质与规模，以评估公司是否有机会申请本次产创条例修正案之巨额租税优惠。本所税务专业小组由具有岛内外律师、会计师执照之税务专家所组成，熟悉岛内与国际税法之最新变动趋势，且与律盟联合会计师事务所密切合作，对于税捐稽征实务有深入之了解。如您就本次产创条例修正案有任何疑问，请不吝随时与本所税务专业小组联系。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3486期内容，欢迎关注。

台湾版本“芯片法”，今天起实施

全部评论

热门搜索