西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究

低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管，作为一种新兴的金刚石场效应晶体管，其研究对于推动金刚石材料在电子学器件领域的应用具有重要意义。通过深入研究和优化，可以进一步提高金刚石场效应晶体管的性能，拓展其在高功率、高频率和高温等极端条件下的应用潜力。

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”将于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、CASA人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。期间，西安交通大学，副教授王玮带来“低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究”的主题报告。传统的硅基电子器件已逼近至其材料极限，采用GaN电力电子器件可实现：更小尺寸、更高开关频率、更高转换效率。2030年，数据中心能源消耗将达到~3000TWh (约占全球能源消耗的7.6%)，相当于428个核电站发电量。相比传统硅基电源模块，氮化镓电源模块可以将电源模块效率提高0.5~1%左右，可以节约21TWH发电量，相当于3个核电站。有数据显示，我国功率二极管市场规模从2020年的119亿增加到2021年的167亿，同比增长40%，2022年市场规模高达186亿，同比增长11%，市场增长空间巨大。

报告详细分享了低开启电压GaN SBD技术、低漏电高耐压GaN SBD技术、电流崩塌免疫GaN SBD技术的研究进展与成果。其中，低损伤阳极凹槽制备技术，采用湿法腐蚀阳极凹槽制备技术，解决了阳极凹槽边缘刻蚀尖峰难题，实现了器件开启电压为0.43 V，反向漏电仅为90 nA/mm的高性能，且阳极凹槽区域缓冲层耐压高达1.5 kV。据介绍，其研究团队的高性能GaN SBD芯片已完成产业化应用，累计出货量达10万只，应用在多项国家重大工程中，并受邀参与国家“十三五”科技创新成就展。

CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，联合实力资源，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）