中电科13所敦少博：高耐压氧化镓功率器件研制进展与思考

以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。其中，氧化镓（Ga2O3）具有超宽禁带、超高临界击穿场强、抗辐照和低成本等优势，被誉为下一代电力电子器件最有利的竞争者，在高压、大功率、高效节能等方面有非常大的应用潜力。

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、CASA人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室高级工程师敦少博带来了题为“高耐压氧化镓功率器件研制进展与思考”的主题报告。

中国电子科技集团公司第十三研究所是中国成立最早、规模最大、技术力量雄厚、专业结构配套的综合性半导体研究所。主要涉及微电子、光电子 <https://baike.baidu.com/item/%E5%85%89%E7%94%B5%E5%AD%90/337832?fromModule=lemma_inlink>和微机械电子系统（MEMS）等三大领域。报告详细介绍国内外在高耐压氧化镓MOSFET和SBD器件方面的最新进展，同时，介绍了中国电子科技集团公司第十三研究所在高耐压氧化镓功率器件方面所提出的一些新型器件结构和新工艺技术。

报告指出，P型掺杂技术缺失依然是氧化镓功率器件发展面临的重大瓶颈问题，开发新型终端结构、寻求替代方案是目前国际研究热点之一 。氧化镓二极管相对更成熟一些，小尺寸二极管进展迅速，部分性能已超越SiC材料理论极限， 在高压、低导通特性显现出一定的性能优势。当前仍亟需材料、器件与应用端协同攻关，实现高性能大尺寸功率器件研制，推动氧化镓功率器件工程化应用。

CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，联合实力资源，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）