ASML产品路线图曝光，EUV光刻机出货已超200台

集微网消息，资深半导体行业分析师Scotten Jones日前综合SEMICON West等渠道信息，综述了ASML高端产品研发应用现状与规划。

Jones透露，ASML目前已发货超过200台NXE:3400/3600系统，其中包括45台NXE:3400B、76台NXE:3400C和75台NXE:3600D，NXE:3600D即将成为出货量最多的EUV光刻机型号，第一批NXE:3800E预计在今年第四季度发货。

从2014年第一季度到2019年第四季度，EUV光刻机系统吞吐量增加了超过17倍，NXE:3400C在客户现场以30mJ/cm2的能量实现了约140片/小时(wph)的产率，NXE:3600D在客户现场以30mJ/cm2的能量实现了略高于160 wph的产能，而在ASML测试中实现了185 wph的产能。NXE:3800E的目标则是超过220 wph。

NXE在晶圆厂的实际产量正不断提高，2020年全球只有1个系统年吞吐量超过50万片晶圆，2021年这一数字增加到15个，2022年增加到51个。

EUV的一大问题一直是系统的巨大功耗，根据ASML数据，该公司不断提高能源效率，将每片晶圆的能耗降低了3倍。

下一代0.55NA EUV系统方面，首台EXE:5000将于2024年初发货，并于2025年批量生产，在2023年晚些时候，ASML位于Veldhoven的工厂就将与imec合作建立一个高NA EUV演示实验室，并于2024年初运行0.55NA EUV光刻机。

根据规划，实际投放市场的量产型高数值孔径曝光工具将是EXE:5200，预计将于2025年初发货。

Jones还谈到，如果工艺节点继续缩小，即使是0.55NA曝光工具最终也需要多重图案化，而ASML正在认真讨论NA约为0.75的“Hyper NA”工具，但具体参数尚未确定。一个关键问题是何时/是否需要这样的工具。

在DUV产品线，全新的NXT:2100i引入4项新功能，可改善未来逻辑和DRAM的套刻误差至远低于1.3纳米。（校对/周宇哲）