HBM订单涌现 三星、SK海力士烦恼加剧

最近高带宽存储器（High Bandwidth Memory；HBM）成为存储器业界热门关键字，随着AI、高效运算（HPC）市场扩大，带动HBM需求爆增，有望成为DRAM市场新粮仓。据传不少业者，纷纷要求三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）扩大HBM供应，两大韩厂陷入苦恼，尽管虽有意扩大投资，但同时也须解决生产成本及制造效率等难题。

综合韩媒ChosunBiz、Newdaily经济及韩联社消息，尽管HBM需求呈爆炸式成长，但三星、SK海力士两大韩厂，尚未确定相关投资规模，主因于两大韩厂高层判断，目前HBM生产流程尚未优化。

简单地来说，HBM是以DRAM堆叠而成，大幅提升数据处理速度，然目前仍存在一个结构难题，即三星、SK海力士无法以「完制品」形式出货客户。

三星、SK海力士将HBM交货台积电，台积电收到后再将HBM与逻辑IC贴附到中介层（interposer），再将中介层贴附到芯片基板上，中介层以2.5D或3D结构连接HBM和逻辑IC，生产成本因此增加。

相关人士进一步指出，三星、台积电等业者多不满意目前的方式，三星希望提供包括HBM在内的整合式晶圆代工服务。此外，传三星内部正在研发，可替代台积电2.5D中介层的技术，也考虑降低矽穿孔（Through-Silicon Via；TSV）的生产成本。

另一方面，近日韩国业界传出消息，指三星、SK海力士为了提升HBM竞争力，考虑增设封装产线。HBM主要透过贴附多个芯片完成，其中备受关注的技术首推TSV封装。

SK海力士是目前唯一生产HBM3的业者，利川是其DRAM生产大本营，考量HBM的生产也在利川，于利川增建后段封装应较合适。然而，利川厂增建TSV后段封装空间并不充足，因此有人认为，SK海力士可能于清州M15厂闲置空间扩建TSV产线，但目前尚未有任何明确定案，因为将利川生产的芯片运往清州封装，可能衍生效率不佳等问题。

相较SK海力士，三星较晚投入HBM，随着AI服务器市场快速成长，三星正在加速扩大HBM产能与投资，准备2023年内推出新产品。三星天安园区、温阳园区，主要负责半导体封装，据传三星正考虑于天安园区，推动增设HBM量产所需的2.5D封装产线。