中芯国际获中兴微物联网专用芯片订单

大陆首颗自主设计制造窄频物联网(NB-IoT)商用芯片正式迈入量产。大陆晶圆代工巨头中芯国际28日宣布与中兴微电子共同发布大陆首颗自主设计并制造的基于蜂巢式网路的NB-IoT商用芯片RoseFinch7100。该芯片采用中芯国际55纳米超低功耗+射频+嵌入式快闪存储器(55nm ULP+RF+eFlash)制程平台制造。

中兴微与华为海思被视为大陆NB-IoT商用芯片两大要角，华为海思的Boudica120、Boudica 150纷纷在台积电代工量产；而中兴微的“朱雀”RoseFinch7100则是与中芯国际代工携手，未来商用芯片可广泛应用于无线表计、共享单车、智能家电、智能城市、智能农业等多个物联网产业和领域。

基于中芯国际55纳米超低功耗制程技术平台，以及中兴微IC设计能力，此次商用的NB-IoT系统级芯片Rose Finch7100是大陆专为低功耗广域物联网而设计的专用芯片。睡眠功耗2uA，在每日收发一次的条件下睡眠耗能为16%；此外Rose Finch7100为单芯片设计，周边极简，支持R14全频段，拥有云芯一体全域安全性能，以及开放的应用架构。

中芯国际全球销售及市场执行副总裁Mike Rekuc表示，中芯国际55纳米技术平台集成了ULP、RF及eFlash制程，特别适用于NB-IoT及其他物联网技术的芯片产品，能够很好地满足物联网客户对功耗及性能的需求。

中芯国际指出这次中兴微电子合作，共同推进NB-IoT芯片的自主设计、制造以及商业化进程，填补了大陆市场的空白，也符合中芯国际的物联网技术发展战略，意义重大。

中兴微副总经理龙志军则表示，Rose Finch7100将进一步掀起物联网产业的深度变革。同步发售的将还有数个产业合作伙伴的首款NB-IoT商用产品。Rose Finch7100芯片处于业界第一阵营，商用化时间符合大陆三大电信商的展示时程，有效支撑客户创新产品上市的最佳时机。

同时他也强调，中芯国际的制造技术与能力保障了NB-IoT芯片RoseFinch7100能准时上市，从测试的情况看，芯片的功能与性能达到了预期要求。在睡眠功耗、截止电压和周边介面数量等与物联网应用关联的核心指标上，都处于业界领先水准，低成本低功耗优势明显。

中芯国际进一步指出，55nm ULP+RF+eFlash制程是专门针对超低功耗物联网应用开发的技术平台，基于稳定成熟的55纳米逻辑及混合讯号制程，通过制程改进和器件性能提升，将核心工作电压降低30%，动态功耗降低 45%，静态功耗降低70%，SRAM漏电大幅降低，并相容RF制程、eFlash制程，以及配备完整的IP解决方案。

相比其他制程节点，中芯国际55nm ULP+RF+eFlash制程能更好地平衡NB-IoT对于低待机功耗和小封装尺寸的严苛要求，是系统级低功耗物联网芯片设计的可靠平台。