FRACTILIA推出堆叠量测解决方案 提升EUV制程管控与良率

致力于先进半导体制造的随机性（stochastics）微影误差量测与控制解决方案领导业者Fractilia，宣布推出Fractilia堆叠量测方案（Fractilia Overlay Package），能够为Fractilia的MetroLER与FAME增加重要的全新堆叠量测与分析功能。

Fractilia产品结合独家专利的反向线扫描模型技术（FILM）与真正的计算量测，是唯一经过验证的晶圆制造厂解决方案，可以对所有主要随机效应提供高精准度的量测，而这也是先进制程上最大且单一的微影图形（patterning）错误来源。Fractilia目前正与多家业界领先芯片制造商合作，使用全新的Fractilia堆叠量测方案为扫描式电子显微镜（SEM）的叠对影像数据进行分析。

在半导体制造过程中，微影堆叠指的是相对于之前的图案层，精确地放置每一个图案层，以确保装置功能正常。芯片制造商传统上使用光学计量工具以量测并控制图案的堆叠，而它对于生产出高良率与高效能的半导体装置来说是不可或缺的。这些测量是在切割道中的特殊目标上进行，而非在装置本身。

随着芯片本身的形态尺寸持续缩小，随机变异性在采用EUV制程后也会跟着上升，故切割道中的测量数值与装置实际的情况间的偏差亦会愈来愈大。因此，业界逐渐趋于使用SEM测量堆叠取代光学计量，来获得更高的分辨率与精准度；与此同时，SEM也会把杂讯带入影像，而这些杂讯很容易与晶圆上的随机变异产生混淆。

Fractilia技术长Chris Mack表示：「业界愈来愈常使用SEM测量堆叠，以提升对先进制程的图形管控，但SEM的随机性与系统性错误依然会干扰他们对于随机性变异的量测。」

他指出：「透过我们成熟的FILM技术，Fractilia在测量与去除SEM杂讯方面可说是无懈可击；因此，我们的客户正转向应用Fractilia技术以提升他们在SEM堆叠测量值的准确度。此外，我们相信透过Fractilia堆叠测量方案结合SEM随机性误差测量与光学堆叠测量，不仅可以提升SEM堆叠计量的准确度，还能提供更好的批量处理与可校正性，并在提升图案管控的同时，也能降低非零偏移（NZO）或其变异性。」

「去除杂讯」的量测值能为更精确呈现晶圆制造的实际情况

Fractilia的FAME解决方案使用独特、符合物理定律的SEM演算模型与数据分析方法，可从SEM影像进行量测并同时修正量测机台的随机与系统性杂讯，提供晶圆微影图形（on-wafer）实际的量测值，而非含有杂讯的影像（on-image）图案量测值。

FAME平台可同时量测所有主要随机效应，包括线边粗糙度（LER）、线宽粗糙度（LWR）、局部线宽均匀度（LCDU）、局部边缘图形置放误差（LEPE）、随机缺陷侦测以及提供临界尺寸（CD）量测。FAME平台提供业界最佳讯噪比的边缘偏移检测，讯噪比相较于其他解决方案高出5倍，且每张SEM影像可以撷取出超过30倍的特徵数据。

借助全新的Fractilia堆叠量测方案，在现有的测量技术基础上提供了SEM堆叠量测的高准确性，包括测量其随机性。Fractilia的产品已经获得业界数十家企业的采用，包括领先的半导体制造商、设备公司、材料供应商以及研究机构。