铠侠新建两个研发中心，加强闪存及SSD产品研发能力

日本存储芯片厂商铠侠株式会社目前正在开始建设2个新的研发中心，分别是横滨技术园区的旗舰大楼和Shin-Koyasu技术前沿大楼，此举为了加强公司在闪存和SSD方面的研发能力。

展望未来，当前在神奈川县的其他研发职能将搬迁到这些新的研发中心，以提高研究效率并促进技术创新的进一步发展。

随着新旗舰大楼的加入，横滨技术园区的规模将扩大近一倍，使铠侠能够扩展其在评估闪存和SSD产品方面的能力，从而提高整体产品开发和产品质量。旗舰大楼配备环保设施，还获得了ZEB-Ready认证1，该认证授予通过提高能源效率将能耗降低50%或更多的建筑物。

新光安技术前沿将作为一系列半导体领域的基础研究中心，包括新材料、工艺和设备。它拥有一个采用环保设计的洁净室。

首席技术官Masaki Momodomi表示：“我们很高兴铠侠的新研发设施现已投入运营。自发明NAND闪存以来，铠侠一直引领内存产品的创新超过35年。有了这两个新设施，我们将进一步加快和深化我们的研发活动，提供支持未来数字社会的产品、服务和技术。

除了下一代内存技术外，铠侠还从事各个领域的研发，包括面向以数据为中心的计算系统的系统技术以及人工智能等数字化转型。它与日本和国外的大学、研究机构和公司一起促进开放式创新。

在“用'内存'提升世界”的使命下，它致力于制定举措，以加强其闪存和SSD业务的竞争力。

横滨技术园区旗舰馆

位置：神奈川县横滨市荣区笠间2丁目

高度：6层

总建筑面积：约40，000米2

新兴安技术前沿大楼

位置：神奈川县横滨市神奈川区森谷町三丁目

高度：4层

总建筑面积：约13，000米2

注：1ZEB 代表 净零能耗建筑。“ZEB-Ready”是日本建筑能效标签系统指定的等级之一，用于认证提供舒适室内环境同时将标准一次能源消耗降低 50% 或更多的建筑物，不包括可再生能源。

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