CGD技术长FLORIN UDREA再获殊荣 入选ISPSD名人堂

Cambridge GaN Devices（CGD）是奉行洁净科技的无晶圆厂半导体事业，专注开发节能GaN功率装置，志在提高各式电子产品的环保效能。CGD荣幸宣布，公司共同创始人暨技术长Florin Udrea教授，入选了 IEEE ISPSD（功率半导体器件国际研讨会）名人堂；名人堂旨在表彰致力推动功率半导体技术，及／或积极延续ISPSD成就卓然有成的各界人士。

表彰事由概如下述：「启迪了一整个时代的工程师在功率半导体领域缔造卓越成就，自身对于相关领域以及ISPSD本身同样贡献良多。」 Udrea除了在ISPSD 23于香港举行的年度名人堂成员表彰盛会正式获奖之外，亦曾在ISPSD 22于加拿大举行的典礼上囊括了「最佳论文」以及「最佳海报」殊荣 — 这是ISPSD成立35年以来，首次由同一人赢取了这两大奖项。

CGD技术长Florin Udrea表示：「这次入选ISPSD名人堂，个人实感荣幸备至，非常自豪可以加入这群德高望重的业界菁英与先行者的阵容，这群前辈与先进于相关领域的成就个个显赫非凡，体现了所谓的开拓精神。『功率』课题的关键地位，如今达到了空前的程度，能在这个时间点投入产业，既是我的荣幸，也是我的福气。只要能善用GaN等新型WBG材料，人类整体文明定能进一步提高效率、具体减少碳足迹。」

CGDCEOGiorgia Longobardi也表示：「Florin 获奖，可谓当之无愧。他具备丰富的经验与资历，专长横跨了多种功率材料（矽、碳化矽、金刚石与氮化镓），CGD非常幸运，如愿邀请到这样的人才担任技术长；Florin曾经召集剑桥大学高压微电子与传感器小组（High Voltage Microelectronics and Sensors；HVMS）发表的研究成果，至今仍让我们受益无穷，目前Florin也持续担任小组研究的领导人。CGD创建事业的支柱之一乃是创新，而Florin着实是创新先驱。」

Udrea教授在各式期刊与国际会议共计发表了600多篇论文，并且具备200件功率半导体器件和传感器发明专利。2015年，他当选英国皇家工程院院士。Udrea在ISPSD会议期间荣膺最佳海报奖，科展海报的题目为「具感知与保护功能的智能 ICeGaN平台，强化了易用程度与」。CGD 650 V ICeGaN GaN HEMT系列的稳定性、易用性与效率极大化，堪称业界第一。ICeGaN可作为平台技术，具备广泛的应用范围，从消费领域的电源供应，到工业领域的转换器与反向器。Udrea曾经凭藉剑桥大学发表的垂直SiC FinFET器件着作 （与日本 Misrise Technologies 和日本京都大学产学合作）而获颁最佳论文奖。