三星将投资1万亿韩元扩大HBM产能

据电子时报报道，三星电子将投资1万亿韩元（约合7.66亿美元）扩大其高带宽内存（HBM）产能。消息人士认为，三星的投资不仅是为了与SK海力士在市场上竞争，也是为了满足英伟达和AMD等公司的客户需求。

韩国ET News指出，三星的目标是到2024年底将HBM产能翻一番，并且已经下了主要设备的订单。据悉，WSS（晶圆承载系统）的供应商包括Tokyo Electron（TEL，东京电子）和Suss Microtech（苏斯微技术）。

三星计划在天安工厂安装该设备，以增加HBM出货量。天安工厂是三星半导体后端工艺的生产基地。考虑到HBM是由多个DRAM垂直连接而成，三星需要增加更多后端工艺设备来提高出货量。据报道，此次扩建的总投资为1万亿韩元。

事实上，2023年AI服务的快速扩张导致对高性能CPU、GPU和HBM的需求增加。韩国行业消息人士指出，三星已经从英伟达和AMD等公司获得了额外的HBM订单。

业内人士称，与竞争对手相比，三星在HBM领域的反应相对缓慢。一些市场研究数据还表明，三星的HBM市场份额低于SK海力士。

这被认为是三星DS（设备解决方案）最近决定更换其内存业务部门技术开发主管的因素之一。

三星DS部门负责人Kyung Kye-Hyun表示，三星的HBM产品仍拥有50%以上的市场份额。到2024年，HBM3和HBM3P等产品将为该部门的利润作出贡献。

另一方面，SK海力士还计划投资约1万亿韩元，增强利川工厂的HBM产能。业内观察人士推测，1万亿韩元将是最低投资规模。未来，三星和SK海力士预计将进一步扩大投资规模，意味着2024年HBM市场竞争将更加激烈。

业内人士认为，随着科技巨头预见人工智能服务的扩张，未来对HBM的需求只会呈上升趋势。如果三星和SK海力士想要满足未来的HBM需求，他们需要将产能提高到目前水平的十倍以上。