一种新型的存储

来源:半导体行业观察发布时间:2023-07-101105浏览

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东北大学7月6日宣布，单晶钴（Co）/铂（Pt）结构是一种简单的铁磁/非磁双层结构，可以在不使用外部磁场的情况下通过电流注入来磁化。表明Co/Pt结构可以用光记录信息，也可以有效地用电记录信息，并且，他们已经开发了一种非易失性磁场，可以存储来自光纤和电线的数据。宣布已成功开发一种记忆材料。

东北大学工学研究科幸田诚教授（兼任国立放射线科学技术研究院量子函数生成研究中心组长）、名誉教授新田淳作、研究生柳佑治（研究时）东北大学的一个国际联合研究小组，主要包括来自韩国科学技术院和美国麻省理工学院的研究人员。

在信息通信社会，大量传感器和设备通过第六代移动通信同时连接到互联网，预计通信数据量将呈爆炸性增长，对信息处理/记录技术的需求可以同时利用低功耗。在进行电气移动的半导体和光布线之间，需要暂时记录光信息，将其传输到半导体集成电路，并再次记录处理后的信息。

在使用铁磁材料作为记录介质的非易失性磁存储器中，通过反转向上和向下磁化方向来记录信息。Co/Pt结构被认为是一种可以通过光照射反转磁化的材料，并且正在研究其在光电融合的非易失性磁存储器中的应用。然而，为了以电的方式反转Co/Pt结构中的磁化强度，需要施加外部磁场，这一直是实现先进光电一体化的瓶颈。因此，研究团队这次对单晶Co/Pt结构进行了更详细的研究。

结果，在单晶Co/Pt结构中，整个薄膜中的易磁化轴方向垂直于膜面，但存在面内局部磁化倾斜的区域。方向. 揭示. 这种磁化梯度与引起磁化扭转的“界面 Dzaloshinski-Moriya 相互作用”相结合，无需外部磁场即可实现电流感应磁化反转。界面 Dzaloshinski-Moriya 相互作用是磁性材料中相邻磁矩之间的相互作用。它试图改变相邻磁矩的方向并扭曲磁矩的空间结构。因此，可以旋转磁矩。仅在特定方向上磁化。